Китайська Ханьсюй показала архітектуру інференса на магнитній пам'яті
Китайська компанія Ханьсюй представила архітектури uHBM та uLPU для інференса AI на основі магниторезистивної пам’яті (MRAM). Прототип SpinPU-ED01 з 120 банками MRAM продемонстрував стабільну роботу 24 години і розраховується на пропускну здатність 24 ТБ/с та понад 2000 токенів/сек для моделі 4 млрд параметрів.
🔬 Експериментальний прототип Для R&D команд у семікондукторі, які готові інвестувати у нові архітектури пам’яті та мають доступ до партнерств з виробниками чіпів
Ключові тези
- Представлено архітектури обчислювальної пам’яті uHBM та uLPU на основі MRAM
- Прототип SpinPU-ED01 з 120 банками MRAM видержав 24‑годинний стресс‑тест
- Заявлено про внутрішню пропускну здатність 24 ТБ/с та понад 2000 токенів/сек
- MRAM має нулевий ток утечки і практично необмежений ресурс перезапису
- Планується інтеграція з GPU/NPU через UCIe, LPDDR5X або GDDR7
🎯 Чи підходить це вашому бізнесу?
Заповніть профіль компанії — і ми автоматично покажемо, чи варто вам це впроваджувати.
Заповнити профіль · 30 секунд🔒 Підтекст (Insider)
Основна перевага MRAM — нулевий ток утечки і практично необмежений ресурс перезапису, що дозволяє зберігати ваги моделей без постійного живлення. Це зменшує переміщення даних між пам’яттю та процесором, критичне для енергоефективного інференса. Для бізнесу це може означати нижчі енергокористування при масштабному розгортанні AI-інфраструктури.
Такий розбір щоранку о 08:00
Персональний AI-дайджест для вашої галузі — щодня у Telegram
Джерела
Machinelearning — оригіналНавчіть вашу команду будувати такі AI-автоматизації
За 5 днів кожен співробітник побудує автоматизацію для своєї ділянки роботи.
Дізнатись більше → aiupskill.live